РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
Категории
IRLML2803TRPBF
Доступно: 1115
19.18 грн.
30-вольтовый N-канальный HEXFET Power MOSFET в корпусе Micro 3
Основные применения:
Выключа..
IRF7105TRPBF
Доступно: 368
17.96 грн.
Двухтранзисторная сборка от International Rectifier содержит в себе пару электрически не связан..
Полевой транзистор - это трёхвыводное (исток-сток-затвор) твёрдотельное полупроводниковое устройство, в котором поток носителей заряда управляется внешним напряжением, прилагаемым к затвору. Наиболее распространены два типа ПТ, определяемых устройством затвора: с pn-переходом и с изолированным затвором (МДП- или МОП-транзисторы - от "Металл-Диэлектрик-Проводник"/"Металл-Окисел-Проводник", англ.MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor + Field-Effect-Transistors).
В свою очередь, МОП-транзисторы подразделяются по типу канала (n- или p- - это зависит от того, какие основные носители определяют проводимость канала) и технологии изготовления канала (с обеднением или обогащением). Четыре возможные комбинации этих свойств определяют наличие/отсутствие тока исток-сток при напряжении затвора равном нулю, а также необходимую полярность и величину запирающего/порогового напряжения.
Из выходных характеристик МОП-транзистора необходимо знать как минимум следующие: максимально возможное рабочее напряжение сток-исток (превышение этой величины разрушает ПТ), максимальное напряжение на затворе (его превышение приводит к необратимому пробою и разрушению затвора, что также выводит ПТ из строя), рабочее сопротивление канала и крутизну выходной характеристики. Данные эти обязательно приводятся в сопроводительной техдокументации от производителя, там же в виде графиков указывается допустимый разброс параметров изделий одного типа и граничные области/режимы эксплуатации (включая изменение параметров при нагреве - что особо важно для сильноточных устройств).
Главное: никогда не пренебрегайте просмотром оригинальной документации от производителя!